第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）这类半导体材料，主要兴起于二十世纪五十年代，其兴起也带动了以集成电路为核心的微电子产业的快速发展，并被广泛的应用于消费电子、通信、光伏、军事以及航空航天等多个领域。

　　第二代半导体材料是以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）为主的化合物半导体，其主要被用于制作高频、高速以及大功率电子器件，在卫星通讯、移动通讯以及光通讯等领域有较为广泛的应用。

　　第三代半导体材料包括了以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带化合物半导体。相比于第一代及第二代半导体材料，第三代半导体材料在耐高温、耐高压、高频工作，以及承受大电流等多个方面具备明显的优势，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，在电力电子器件、微波射频等领域的应用优势更为明显。

　　GaN作为第三代半导体材料的代表，在电源管理、功率输出方面具有明显的技术优势。在 650伏特左右电压下，其在芯片面积、电路效率和开关频率方面明显优于硅，这使电源产品更为轻薄、高效。并且GaN 充电器体积小、效率高、发热量小，有望在未来统一快充充电器市场，预计在2024 年 GaN 电源市场规模将超过 3.5 亿美元，CAGR达 85％，市场前景广阔。

　　同时国家对于第三代半导体产业发展提供了持续不断的政策方面的支持，2016年，国务院推出了《国务院关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知》，其中首次提到要加快第三代半导体芯片技术与器件的研发；2019 年 6 月商务部及发改委在鼓励外商投资名单中增加了支持引进 SiC 超细粉体外商企业；2019年 11 月工信部印发《重点新材料首批次应用示范指导目录》，其中 GaN 单晶衬底、功率器件用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 单晶衬底等第三代半导体产品进入目录；2019 年 12 月国务院在《长江三角洲区域—体化发展规划纲要》中明确要求加快培育布局第三代半导体产业，推动第三代半导体产业高质量发展。

　　时代速信在此背景下形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为核心的产品布局，并成功地推出了SiC-GaN射频芯片和Si-GaN电力电子功率器件，推动GaN市场发展。